FIB（集束イオンビーム）はGaイオンを数μｍ以下に絞り、ビームを走査させて試料表面の原子を弾き飛ばしながら微小領域を加工する装置です。半導体、MEMS、液晶ガラス、ビルドアップ基板など、微小領域の断面加工やTEM試料の作製が可能です。
装置紹介
クロスビームFIBは、FIBで断面加工しながらリアルタイムでSEM観察ができるため、ピンポイントで精度よく断面を出すことができます。またSEM/SIMの観察が可能です。
シングルビームFIBは、TEM試料作製やSIM観察断面の作製、微細加工などの加工ができます。
FIB加工による断面をSEM及びSIMで観察
SEM：Secondary Electron Microscope image
ビルドアップ基板
太陽電池
MEMS
半導体 IC
SIM：Secondary Ion Microscope image
CMOS
ワイヤーボンド
はんだ/銅 接合部
液晶ガラス TFT部
FIB (Forcused Ion Beam)
断面作製、ＴＥＭ試料作製および各種表面分析の前処理加工等の微小領域の加工を行い、解析精度及びスループットの向上に威力を発揮します。
特徴
所有装置
ＳＭＩ－２２００（セイコー社製）装置概要
事例
ＳＭＩ－２２００
特徴
- ねらった場所を早く確実に加工
- 機械的ダメージのない加工
- ＳＩＭ像の観察
- 集積回路の修正（配線の切断・接続）
- アイデア次第で種々の用途に適用可能
所有装置
ＳＭＩ－２２００（セイコー社製）
装置概要
- イオン種： Ga液体金属
- デポジション： C(カーボン)、W(タングステン)
- 試料： ８インチウェハーまで対応
事例
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Ａｕ（金）ワイヤーの断面観察
はんだ接合部の断面観察
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