パワーデバイスのHAST試験 MOSFET・IGBT等のパワーデバイスに対して高温・高湿度環境下で最大1000Vの印加が可能です。漏れ電流をモニタリングを行い、デバイスの劣化状況の推移が確認できます。 特徴 ・最大1000Vを印加してパワーデバイスの不飽和蒸気加圧試験が可能です。・高温高湿下での通電により金属配線の腐食やマイグレーション等の評価が可能です。・試験中にモニタリングを行うので、リアルタイムで試料の劣化状況が把握できます。 仕様・サービス内容 試験電圧 :最大DC1000Vまで印加可能 (正極コモン・保護抵抗110kΩ)試験数量 :最大30個 (正極側)対応モジュール :TO-247、TO-220 等 (その他のパッケージは要相談:ソケット調達可)測定内容 :漏れ電流のモニタリング試験装置 :温度制御範囲 105.0℃~142.9℃ 湿度制御範囲 75%RH~100%RH 圧力範囲 0.020~0.196MPa(ゲージ圧) 【HASTチャンバー】EHS-221M (エスペック製) 【参考モニターデータ】試験条件:130℃/85%RH/DC1000V印加 試験条件例:JESD22-A110E、 JEITA ED-4701-100A(試験方法302A)等 お問い合わせはこちらから 株式会社アイテス 品質技術部 TEL:077-599-5020 メールでのお問い合わせはこちらから