パワーデバイスのHAST試験

MOSFET・IGBT等のパワーデバイスに対して高温・高湿度環境下で最大1000Vの印加が可能です。
漏れ電流をモニタリングを行い、デバイスの劣化状況の推移が確認出来ます。

特徴

・最大1000Vを印加してパワーデバイスの不飽和蒸気加圧試験が可能です。
・高温高湿下での通電により金属配線の腐食やマイグレーション等の評価が可能です。
・試験中にモニタリングを行うので、リアルタイムで試料の劣化状況が把握出来ます。

仕様・サービス内容

試験電圧  :最大DC1000Vまで印加可能 (正極コモン・保護抵抗110kΩ)
試験数量  :最大30個 (正極側)
対応モジュール  :TO-247、TO-220 等 (その他のパッケージは要相談:ソケット調達可)
測定内容  :漏れ電流のモニタリング
試験装置  :温度制御範囲 105.0℃~142.9℃  湿度制御範囲 75%RH~100%RH
       圧力範囲  0.020~0.196MPa(ゲージ圧)

【HASTチャンバー】
EHS-221M  (エスペック製)

【参考モニターデータ】
試験条件:130℃/85%RH/DC1000V印加

試験条件例:JESD22-A110E、 JEITA ED-4701-100A(試験方法302A)等