ＳｉＣウェハ潜在欠陥検査装置 / 通電劣化シミュレーター
SiCデバイスは、EV・産業機器・送電システムなど幅広い分野で採用が拡大する次世代パワー半導体です。しかしその高いポテンシャルの一方で、バイポーラ劣化による信頼性への影響が重要な技術課題となっています。
アイテスの通電劣化シミュレーター ITS-SCX100 は、UVレーザー照射によってBPDや積層欠陥をウェハレベルで短時間に拡張・可視化し、従来2ヶ月を要していたサンプル評価を約2日に短縮します。開発サイクルの加速と製品信頼性の向上を、同時に実現します。
ＳｉＣウェハの欠陥評価・解析
省エネ・高効率化を実現する次世代材料「SiC（シリコンカーバイド）」。アイテスでは、長年培った高度な分析技術と最新の装置を用い、SiCデバイス特有の結晶欠陥や構造解析、信頼性試験をトータルにサポートします。