ITESではICに対して不良モードに適した様々な手法を組み合わせることで、不良ノードの特定から物理解析までを一貫して対応しております。
裏面研磨
裏面研磨を実施し、Si基板面から解析をする事で、表面からはメタルが邪魔をして取得できない微小発光やOBIRCH信号を検出する事が
できます。
発光解析／OBIRCH解析
発光/OBIRCH解析により、リーク箇所や、不具合に関係しているネットを特定します。
・Layout Viewerによるレイアウト確認が可能です。
・冶具のカスタマイズにより様々な試料形態やバイアス条件に対応できます。
裏面発光イメージと解析結果
裏面IR-OBIRCHイメージと解析結果
サンプル加工／層剥離
チップを一層ずつ平面的に研磨をする事で、光学顕微鏡やSEMによる異常部の観察ができます。
FIB Padを用いた発光解析/OBIRCH解析
層剥離中にFIB Pad作製と配線カットをする事で、特定の経路を独立させて発光解析/OBIRCH解析を実施する事も可能です。
平面からの故障箇所特定
層剥離後のサンプルに対して、以下の様な電気的な平面解析を実施します。
EBAC解析
SEM観察時の電子線の入射により、配線に生じた吸収電流をプローブで検出する事で、配線やビアのオープン箇所及び、ショートを起こしているネットを検出します。
マイクロプローブによるTr特性測定
FIBによるPad作製を行う事で、マイクロプローブでの素子単体の特性を取得する事が可能です。
・0.18umプロセスまで対応（レイアウトによる）
PVC解析
SEMで電位コントラスト（PVC）を観察し、正常部やレイアウト図と照らし合わせる事で、ゲート酸化膜のリーク箇所やオープン箇所を特定する事が可能です。
物理解析（FIB-SEM，TEM）
弊社独自の高精度の故障箇所特定技術を用いる事で、リーク箇所をピンポイントで物理解析/元素分析
が可能です。
特定位置精度：±0.3um 試料厚：1.5um-0.1um