マイクロ波インピーダンス顕微鏡(sMIM)は、キャリア濃度（ドーパント濃度）に線形な相関を持つ信号が特徴です。dC／dV信号も取得でき、拡散層の解析に有効です。
sMIM解析の原理
反射率から得られるZsのC成分は酸化膜容量と空乏層容量からなり、不純物濃度に依存して空乏層幅がかわることを利用して、濃度の変化をCの変化として検出します。
適用例
sMIM-C ： Si, SiC, GaN, InP, GaAs などの各種半導体素子の拡散層の可視化およびキャリア濃度
の半定量評価
dC/dV ： 拡散層形状評価、p/n極性の判定、空乏層の可視化
右図のP型SiのsMIM解析で、SIMSによるボロンの濃度プロファイルとsMIM-C像の信号強度はほぼ一致しており、濃度に比例した信号が得られています。
IMEC Calibration Structure CS04 – SiB
Silicon p-type <100>
calibration structure, B-doped on a p-type substrate
・sMIM-C感度：1E14～1E21
・空間分可能：20nm～数百nm(濃度に依存)
解析事例
Si スーパージャンクション型MOSFETの断面解析事例
標準試料(SSRM-SMPL-P/N)の解析により
キャリア濃度の定量化が可能です。
SiC製 パワーMOSFET 断面sMIM 解析事例
キャリア濃度の相対評価ができます。
標準試料をご支給頂いた場合はキャリア濃度の定量化も可能です。
GaN HEMTの断面解析事例
半導体表面の2DEG付近ではn型を示す信号が認められますが、
Gate直下のchannelでは信号は途切れています。
この信号は2DEGでのキャリア密度に起因したものと思われます。
sMIM解析 仕様
データ形式
PNG ファイル
ご要望に応じて数値データファイル
仕様
測定可能領域
平面観察試料：1cmx1cm
断面観察試料：断面幅～1cm
最大視野角：80μm×80μm （256点× 256点）
空間分解能
10nm (高濃度領域) ～ 数百nm (低濃度領域)
検出キャリア濃度
10e14～10e20 /cm3
※Si デバイスの場合
必要情報
1.目的/測定内容
2.試料情報
(1)数量、予備試料の有無など
(2)測定箇所を示した平面、断面模式図、半導体の材質、キャリア濃度、希望視野など