SiCデバイスは次世代パワーエレクトロニクスの中核材料として期待されていますが、バイポーラ劣化は製品信頼性における重要な技術課題です。
ITS-SCX100は、この課題を解決するため、UVレーザー照射によりBPD/積層欠陥をウェハレベルで短時間に拡張し、欠陥の影響を可視化・評価することを可能にします。これにより、2ヶ月かかっていたサンプル評価を約2日に短縮することが可能です。
※本製品は東京エレクトロンデバイス株式会社様との共同開発製品となります。
潜在欠陥の検出と評価の重要性
SiCデバイスは、高耐圧・低損失・高温動作の特性から、EVや産業機器、送電システムなどで採用が拡大している次世代のパワー半導体です。しかし、バイポーラ劣化という技術課題が顕在化しています。
バイポーラ劣化とは？
SiCパワーデバイス（PNダイオード、MOSFETなど）において、高電流が繰り返し流れることで、ドリフト層に存在する基底面転位（Basal Plane Dislocation, BPD）が積層欠陥（Stacking Faults, SF）へと変化する現象です。
SFが拡張することで電流経路が妨げられ、オン抵抗が増加し、最終的にデバイス特性の劣化や故障につながります。
従来の課題と評価加速の必要性
潜在的なBPDは標準的な検査では検出が困難です。対策として材料やデバイス構造を変更した場合、実際の電流を流して評価するのに約2ヶ月を要し、開発サイクルの迅速化を妨げていました。
ITS-SCX100は、この課題を解決するため、UVレーザー照射によりBPD/積層欠陥をウェハレベルで短時間に拡張し、欠陥の影響を可視化・評価することを可能にします。
これにより、2ヶ月かかっていたサンプル評価を約2日に短縮することが可能です。