パワーデバイスの酸化膜及び接合部評価の高温逆バイアス試験(HTRB)が最大2000Vまで印加可能です。リーク電流のモニタリングを行い､デバイスの劣化状況の推移が確認できます｡
特徴
・ 最大2000Vを印加してパワーデバイスの高温逆バイアス試験が可能です。
・ 高温及び高電圧通電によりデバイス劣化及び特性等の評価が可能です｡
・ 試験中のリーク電流のモニタリングにより､リアルタイムでデバイスの劣化状況が把握できます｡
・ 電源が独立しているために試験中に一つのデバイスが故障した場合でも他のデバイスに影響を及ぼしません。
・不良基準（電流値）の設定が可能で不良判定デバイスの電源を不良判定時に遮断することができます。
仕様･サービス内容
試験電圧 ：最大DC2000Vまで印加可能
印加電流 ：最大14mA
試験数量 ：最大8個（電源独立）
対応モジュール ：TO-247､TO-220 等 (その他のパッケージは接続方法など要相談)
測定内容 ：リーク電流のモニタリング
温度範囲 ：最大 200℃ （高温高湿の場合 85℃ / 85％）
