SiC基板中に存在する基底面転位(BPD)は、順バイアス時に欠陥を拡大させ、デバイス特性を劣化させることで知られています。今回、微小なBPDをPL(フォトルミネッセンス)にて特定し、発光部をTEMにて観察しました。
装置概要
PL(フォトルミネッセンス)
使用装置：
自社製PLイメージング装置励起光：超高圧水銀ランプUV光源 (285～350nm)
捉えたい欠陥の種類によって観察波長を選択できます
TEM(透過型電子顕微鏡)
使用装置：
JEOL JEM-4000FX
加速電圧：400kV
高電圧で加速された電子線を試料に照射し、透過してきた電子を結像させ拡大像を得ます。
独自の位置出し技術を駆使する事で、光学像では認識できない極微小なものでも、高い確率SEM,TEMで可視化する事が可能となります。
SiC基板を用いたPL～TEM観察事例
PL(フォトルミネッセンス)
サンプル：SiC Wafer片(10×5mm角、エピ11um/Buffer0.5um) UV照射や通電は未実施。
観察波長700nm以上にてPL観察を実施しました。
x5レンズPL連結像
x10レンズPL像
約x100レンズPL像
PL観察によって
[0-110]から
[11-20]へ途中で転換するBPDが確認されました。
TEM(透過型電子顕微鏡)
PL発光像左端部を断面TEM、転換部の平面TEMを実施しました。
TEM観察にて、PL発光像では捉えきれない深さ方向の情報や欠陥の詳細な変位などの情報が得られます。
PLによる欠陥箇所特定・全体像把握から、TEMによる欠陥部の詳細な観察が可能です。