パワーデバイスの故障解析 あらゆるサイズ・形状のダイオード・MOS FET・IGBT等のパワーデバイスに対し最適な前処理を行い、裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。 解析の前処理 -裏面研磨- 各種サンプル形態に対応します。Siチップサイズ:200um~15mm角 不良箇所特定 -裏面IR - OBIRCH解析・裏面エミッション解析 - IR-OBIRCH解析:~100mA/10V ~100uA/25V まで対応感度(最小検出電流変動):数十pA、低倍最大視野:13mm角※それ以上の視野サイズは要打合せ エミッション解析 : ~2kVまで対応 感度:数nA、低倍最大視野:16mm角 ※それ以上の視野サイズは要打合せ リーク箇所のピンポイント断面観察 - SEM・TEM - 予測される不良に合わせてSEM観察・TEM観察を選択し、リーク不良箇所をピンポイントで物理観察/元素分析を実施することが出来ます。特定位置精度:±0.3um、試料厚:1.5um~0.1um ボンディング起因の不良イメージ プロセス起因の不良イメージ FIB-SEMによる拡散層観察(MOS-FET) 〇 機械研磨SEM観察:大きな破壊箇所・異物・広範囲の観察〇 拡散層観察 :TEM試料加工前に不良箇所近傍にて観察可能。構造により前処理が必要な場合あり。〇 FIB-SEM観察 :クラック・形状異常・拡散層観察 (~×50k) 〇 断面TEM観察 :ゲート酸化膜の破壊・転位 (~×400k) お問い合わせはこちらから 株式会社アイテス 品質技術部 TEL:077-599-5020 メールでのお問い合わせはこちらから