あらゆるサイズ・形状のダイオード・ＭＯＳ ＦＥＴ・ＩＧＢＴ等のパワーデバイスに対し最適な前処理を行い、裏面ＩＲ－ＯＢＩＲＣＨ解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。
解析の前処理 -裏面研磨-
各種サンプル形態に対応します。Siチップサイズ：200um～15mm角
不良箇所特定 －裏面IR － OBIRCH解析・裏面エミッション解析 －
IR-OBIRCH解析：～100mA/10V ～100uA/25V まで対応感度(最小検出電流変動)：数十pA、
低倍最大視野：13mm角
※それ以上の視野サイズは要打合せ
エミッション解析 ： ～2kVまで対応 感度：数nA、
低倍最大視野：16mm角 ※それ以上の視野サイズは要打合せ
リーク箇所のピンポイント断面観察 － SEM・TEM －
予測される不良に合わせてＳＥＭ観察・ＴＥＭ観察を選択し、リーク不良箇所をピンポイントで物理観察／元素分析を実施することが出来ます。
特定位置精度：±0.3um、試料厚：1.5um～0.1um
ボンディング起因の不良イメージ
プロセス起因の不良イメージ
FIB-SEMによる拡散層観察（MOS-FET）
〇 機械研磨SEM観察：大きな破壊箇所・異物・広範囲の観察
〇 拡散層観察 ：TEM試料加工前に不良箇所近傍にて観察可能。構造により前処理が必要な場合あり。
〇 FIB-SEM観察 ：クラック・形状異常・拡散層観察 (～×50k)
〇 断面TEM観察 ：ゲート酸化膜の破壊・転位 (～×400k)