MOSFET･IGBT等のパワーデバイスに対して高温･高湿度環境下で最大1000Vの印加が可能です｡
漏れ電流をモニタリングを行い､デバイスの劣化状況の推移が確認できます｡
特徴
・最大1000Vを印加してパワーデバイスの不飽和蒸気加圧試験が可能です。
・高温高湿下での通電により金属配線の腐食やマイグレーション等の評価が可能です｡
・試験中にモニタリングを行うので､リアルタイムで試料の劣化状況が把握できます｡
仕様･サービス内容
試験電圧 ：最大DC1000Vまで印加可能 (正極コモン･保護抵抗110kΩ)
試験数量 ：最大30個 (正極側)
対応モジュール ：TO-247､TO-220 等 (その他のパッケージは要相談：ソケット調達可)
測定内容 ：漏れ電流のモニタリング
試験装置 ：温度制御範囲 105.0℃～142.9℃ 湿度制御範囲 75%RH～100%RH
圧力範囲 0.020～0.196MPa（ゲージ圧）
【HASTチャンバー】
EHS-221M (エスペック製)
【参考モニターデータ】
試験条件：130℃/85%RH/DC1000V印加
試験条件例：JESD22-A110E､ JEITA ED-4701-100A(試験方法302A)等