SiCに関する国際学会、ICSCRM 2025にて口頭発表、及び、ポスター発表を行いました

2025年9月14日(日)~9月19日(金)の6日間、韓国 釜山にて開催されたSiCに関する国際学会、『ICSCRM 2025 (International Conference On Silicon Carbide And Related Materials)』にて口頭発表、及び、ポスター発表を行いました。

Link:ICSCRM 2025(https://icscrm2025.org/)
開催期間:2025年9月14日(日)~9月19日(金)
会場:BEXCO Exhibition Center1(韓国、釜山)
  • 「Bipolar Degradation Simulator for R & D」T. Morita
  • 「Application of UV photoluminescence spectrum mapping for stacking faults that were expanded from the in-grown stacking fault on a thick 4H-SiC epilayer」K. Takano
  • 「Adverse effects of proton implantation in 4H-SiC epilayers on stacking fault expansion」K. Takano
  • 「Quantitative Simulation of Bipolar Degradation in 4H-SiC Using UV Pulsed Laser: Considerations on the Critical Duration of Threshold Minority Carrier Density」Y. Igarashi