パワーデバイス故障箇所・Slice&View 三次元再構築

電力変換素子として広く活用されているパワーデバイスのEOSによる故障箇所をOBIRCH解析で特定した後、FIB-SEMのSlice&View機能を用いて故障箇所の三次元像を再構築する事により、破壊された構造の全貌を観察し...

FIB-SEM Helios 5 UC 導入のお知らせ

パワーデバイスやIC、太陽電池や受発光素子といった半導体デバイスやMLCCなどの電子部品からソフトマテリアルといった多岐にわたる硬軟材料の断面観察・分析を高スループットで実現。 FIB-SEM複合装置概要 ・垂直方向にS...

Liイオン電池セパレータの解析

市販のLiイオン電池に使用されているセパレータについてFT-IR分析にて材料分析を行った後、高温時におけるポリマー溶融の遮断機能について確認しました。...

MEMS部品の構造解析

MEMS部品の構造を非破壊・破壊的手法を組み合わせ、総合的に解析します。...

不具合の原因を化学の視点で解決します。

クラック、変色、剥離、変形、物性強度低下など、製品、部材などに発生する不具合は様々です。その多くは、製品を構成する材料に原因がある場合が多く、その材料を分析調査することで解決することがあります。何が起きているのかを化学、および反応機構でアプローチする方法をご紹介します。...

実装部品接合部の解析

機械研磨法に化学エッチング、イオンミリング、更にFIB加工を施すことにより、鉛フリーはんだを含め、各種金属接合部の解析を行うことができます。...

SEM/EDX分析時の加速電圧の違いによる検出感度

一般的なプリント基板(PCB基板)のAuめっき表面を分析した際、下層のNiが露出していないにも関わらず検出される場合がある。これは電子線の散乱深さに関連性があり、正しい分析結果を得るには適切な加速条件を設定する必要がある。今回、モンテカルロシミュレーションを用いて加速電圧の違いによるEDX検出深さについて確認を行った。...

パワー半導体の解析サービス

ICの不良モードに適した様々な手法を組み合わせることで、不良ノードの特定から物理解析まで一貫して対応致します。...

パワーデバイスのトータルソリューションサービス

パワーデバイスをあらゆる角度から徹底評価、検証します...

ICの不良解析

ICの不良モードに適した様々な手法を組み合わせることで、不良ノードの特定から物理解析まで一貫して対応致します。...

LCDパネルの良品解析

LCD部品/製品の良品解析を行います。弊社の持つLCDの知見から製品の品質状態を確認いたします。...

クロスビームFIBによる断面SEM観察

微細FIB断面加工と高精細なSEM観察の受託サービスです。...

FIB(Focused Ion Beam)

FIB(集束イオンビーム)はGaイオンを数μm以下に絞り、ビームを走査させて試料表面の原子を弾き飛ばしながら微小領域を加工する装置です。半導体、MEMS、液晶ガラス、ビルドアップ基板など、微小領域の断面加工やTEM試料の作製が可能です。...

FIB加工からSEM観察

超低加速電圧で超高分解能の観察が可能な走査型電子顕微鏡(SEM)に集束イオンビーム装置(FIB)を搭載した「リアルタイムイオン電子顕微鏡(CrossBeam FIB、XB-FIB)」により、ナノスケールの試料加工を受託致します。...