実装部品接合部の解析

機械研磨法に化学エッチング、イオンミリング、更にFIB加工を施すことにより、鉛フリーはんだを含め、各種金属接合部の解析を行うことができます。...

SEM/EDX分析時の加速電圧の違いによる検出感度

一般的なプリント基板(PCB基板)のAuめっき表面を分析した際、下層のNiが露出していないにも関わらず検出される場合がある。これは電子線の散乱深さに関連性があり、正しい分析結果を得るには適切な加速条件を設定する必要がある。今回、モンテカルロシミュレーションを用いて加速電圧の違いによるEDX検出深さについて確認を行った。...

パワー半導体の解析サービス

ICの不良モードに適した様々な手法を組み合わせることで、不良ノードの特定から物理解析まで一貫して対応致します。...

パワーデバイスのトータルソリューションサービス

パワーデバイスをあらゆる角度から徹底評価、検証します...

FIB-SEMによる半導体の拡散層観察

FIB法による断面作製とSEM観察によって半導体の拡散層を可視化、形状評価を行います。 SEMのInlens 検出器によって内蔵電位の違いを可視化 内蔵電位によってN型とP型領域で発生する二次電子のエ...

ICの不良解析

ICの不良モードに適した様々な手法を組み合わせることで、不良ノードの特定から物理解析まで一貫して対応致します。...

クロスビームFIBによる断面SEM観察

微細FIB断面加工と高精細なSEM観察の受託サービスです。...

FIB加工からSEM観察

超低加速電圧で超高分解能の観察が可能な走査型電子顕微鏡(SEM)に集束イオンビーム装置(FIB)を搭載した「リアルタイムイオン電子顕微鏡(CrossBeam FIB、XB-FIB)」により、ナノスケールの試料加工を受託致します。...