EBSD
SACはんだとNiパッド界面の化合物の解析例
Sn-Ag-Cu系はんだとNiPパッド界面に形成される化合物の解析例をご紹介致します。 EDXによる元素分析 面分析 NiPパッドとSn-Ag-Cu系はんだの界面には(Ni,Cu)3Sn4や(Cu,Ni)6Sn5等の化合...
EBSDの事例 ２つの黄銅材を比較
EBSDは結晶方位の測定を得意としています。結晶方位以外にも結晶構造の違いを識別できる場合があります。今回はEBSDの事例として、似たような元素組成をもつ2種類の黄銅材について比較を行いました。結晶構造の違いをもとに、２...
フレキシブル基板（FPC）のEBSD解析
可動部や折り曲げ機構がある製品に使用されるフレキシブル基板について、屈曲部と固定部でCu配線に違いがあるかEBSDによる確認を行った。...
EBSDによる解析例（鉄板）
鉄板(Fe)について、EBSDによる解析例を紹介致します。...
EBSDによる解析例（高融点はんだ）
高融点はんだ(Snを少量含むPb基はんだ)について、EBSDによる解析例を紹介致します。...
不具合の原因を化学の視点で解決します。
クラック、変色、剥離、変形、物性強度低下など、製品、部材などに発生する不具合は様々です。その多くは、製品を構成する材料に原因がある場合が多く、その材料を分析調査することで解決することがあります。何が起きているのかを化学、および反応機構でアプローチする方法をご紹介します。...
EBSDによる解析例（パイプ）
パイプ(γ鉄(オーステナイト))について、EBSDによる解析例を紹介致します。...
EBSDによる解析例（ビア）
積層基板で形成されるビア(Cu)について、EBSDによる解析例を紹介致します。...
EBSDによる解析例（ネジ）
ネジ(Cu2Zn)について、EBSDによる解析例を紹介致します。...
EBSDによる解析例（セラミック）
セラミック(Al2O3)について、EBSDによる解析例を紹介致します。...
EBSDによる解析例（シリコンウエハ）
EBSDの事例として、シリコンウエハを示します。測定したシリコンウエハは単結晶であるため、IPFマップ、極点図、逆極点図は比較的シンプルな結果になりました。...
EBSDによる解析例（カニカン）
長期の使用により破損したカニカンの破断部について、観察、元素分析、EBSDによる解析を行いましたので紹介致します。...
EBSDによる解析例（ウィスカ）
ICパッケージのリード端子に発生したウィスカについて、機械研磨にて断面を作製し、SEM観察及びEBSD解析した事例を紹介します。...
EBSDによる解析例（Chip）
Chip表面の配線(Al)について、EBSDによる解析例を紹介いたします。...
EBSD法によるGaN/SiC、Sapphire基板界面の歪解析
EBSD(電子線後方散乱回折：Electron Back Scattered Diffraction Pattern)法を用いた、受託分析の一例です。青色LEDのGaNとSiC、Sapphire基板界面に発生する歪の可視化を試してみました。...
アルミ溶接部（スポット溶接）の結晶解析例
EBSD(電子線後方散乱回折：Electron Back Scattered Diffraction Pattern)法は、電子線照射により得られた反射電子回折パターンから、材料組織状態を調べる受託分析です。
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EBSD法による解析例
EBSD(電子線後方散乱回折：Electron Back Scattered Diffraction Pattern)法は、電子線照射により得られた反射電子回折パターンから、材料組織状態を調べる受託分析です。
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EBSDパターン(菊池パターン)
EBSD(電子線後方散乱回折：Electron Back Scattered Diffraction Pattern)法は、電子線照射により得られた反射電子回折パターンから、材料組織状態を調べる受託分析です。
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はんだ接合部における金属間化合物の結晶解析例
EBSD(電子線後方散乱回折：Electron Back Scattered Diffraction Pattern)法は、電子線照射により得られた反射電子回折パターンから、材料組織状態を調べる受託分析です。
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金ワイヤーボンド接合部 断面観察/解析 例
EBSD(電子線後方散乱回折：Electron Back Scattered Diffraction Pattern)法は、電子線照射により得られた反射電子回折パターンから、材料組織状態を調べる受託分析です。
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Cu板における圧縮前後での変化観察
EBSD(電子線後方散乱回折：Electron Back Scattered Diffraction Pattern)法は、電子線照射により得られた反射電子回折パターンから、材料組織状態を調べる受託分析です。
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BGA（Ball Grid Array）の結晶解析例
EBSD(電子線後方散乱回折：Electron Back Scattered Diffraction Pattern)法は、電子線照射により得られた反射電子回折パターンから、材料組織状態を調べる受託分析です。
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装置
ﾏｲｸﾛﾌﾟﾛｰﾊﾞｰ
裏面研磨
EMS/OBIRCH
sMIM
EBIC
EBAC
光学顕微鏡
ﾃﾞｼﾞﾀﾙﾏｲｸﾛｽｺｰﾌﾟ
レーザー顕微鏡
ワンショット３D形状測定機
FE-SEM
卓上型SEM
FIB-SEM
TEM
EDX
WDX（EPMA）
EBSD
ﾄﾘﾌﾟﾙｲｵﾝﾎﾟﾘｯｼｬｰ（CP）
イオンミリング
研磨機
ウルトラミクロトーム
ワイヤーソー
3次元測定器
ラマン
AES
XPS
TOF-SIMS
AFM
硬度計
FT-IR
GC-MS
ICP-AES
TMA
DSC
TG-DTA
DMA
イオンクロマト
ヘーズメーター
NMR
色差計
MALDI-TOFMS
WPA
GPC
細孔分布測定装置
万能材料試験機
粒子径測定ｼｽﾃﾑ
パワーサイクル
熱衝撃（TC）
液槽熱衝撃（WTS）
ハイパワー恒温恒湿
恒温恒湿（THB）
恒温恒湿（TH）
低温（LT）
高温（HT）
HAST、PCT
In-Situ
ESD・ラッチアップ
CDM
光学測定
SAM、SAT
X線／CT
自記分光光度
MFR
全般