EMS/OBIRCH

ESD試験にて破壊され、発光強度の低下したLEDはエミッション発光とIR-OBIRCH法を用いて解析し、不良現象を明らかにすることが可能です。 ...

ショートやリークに伴う微弱な発熱を高感度InSbカメラで検出する事で半導体等の電子部品の故障部を非破壊で特定する事ができます。更にX線検査装置を用いる事で非破壊での観察も可能です。 発熱解析原理, 装置概要 発熱解析は、...

マイクロ波インピーダンス顕微鏡(sMIM)は、ドーパント濃度に線形な相関を持つ信号が特徴です。SuperJunction型MOSFETの拡散層断面解析事例を紹介します。...

ICの不良モードに適した様々な手法を組み合わせることで、不良ノードの特定から物理解析まで一貫して対応致します。...

パワーデバイスをあらゆる角度から徹底評価、検証します...

SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは物理特性が異なるため、故障箇所特定も新たな手法が必要となります。 詳しくはこちら（外部サイト） 　　お問い合わ...

ICの不良モードに適した様々な手法を組み合わせることで、不良ノードの特定から物理解析まで一貫して対応致します。...

FIBを用いた特定箇所の断面作製、LV-SEM / EBICによる拡散層の形状観察、さらにTEMによる配線構造、結晶構造の受託解析を行います。...

ダイオード・MOS FET・IGBTといったパワーデバイスの不良箇所を特定し観察する受託分析サービスです。 ...

裏面ＯＢＩＲＣＨ/発光解析や裏面発光解析の前処理として各種形態のサンプルの裏面研磨を行います。裏面から解析を行うため不可欠な前処理です。...

Green Deviceとして普及しつつある白色LEDの光源に使用されている青色LEDチップの順バイアス、逆バイアス時のリーク不良箇所を特定する受託分析サービスです。...

受託試験　太陽電池のEL発光観察のご紹介です。 EL発光を検出し画像化することで太陽電池の性能評価、不具合箇所の特定を行います。...

ICチップの電流リーク、ショートや高抵抗などの不良箇所を、チップの裏面からサブミクロンの位置精度で特定する受託分析です。...

高度な試料作製技術と半導体用の故障解析装置を応用し、LEDの故障解析を行い不点灯や輝度劣化の原因を調査します。...

SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイスであり注目を集めていますが、 Si半導体とは物理特性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。...