sMIMによる半導体拡散層の解析

マイクロ波インピーダンス顕微鏡(sMIM)は、ドーパント濃度に線形な相関を持つ信号が特徴です。SuperJunction型MOSFETの拡散層断面解析事例を紹介します。...

FIB断面でのLV-SEMとEBIC法による拡散層の観察

FIBを用いた特定箇所の断面作製、LV-SEM / EBICによる拡散層の形状観察、さらにTEMによる配線構造、結晶構造の受託解析を行います。...

パワーデバイスの故障解析

ダイオード・MOS FET・IGBTといったパワーデバイスの不良箇所を特定し観察する受託分析サービスです。 ...

選択波長におけるLED発光解析

Green Deviceとして普及しつつある白色LEDの光源に使用されている青色LEDチップの順バイアス、逆バイアス時のリーク不良箇所を特定する受託分析サービスです。...

太陽電池のEL発光観察

受託試験 太陽電池のEL発光観察のご紹介です。 EL発光を検出し画像化することで太陽電池の性能評価、不具合箇所の特定を行います。...

裏面IR-OBIRCH解析

ICチップの電流リーク、ショートや高抵抗などの不良箇所を、チップの裏面からサブミクロンの位置精度で特定する受託分析です。...

SiCデバイスの裏面発光解析

SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイスであり注目を集めていますが、 Si半導体とは物理特性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。...

短波長レーザーによるOBIRCH解析サービス

SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは物理特性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。 OBIRCH解析の原理 (Optical Bea...