EBSD法によるGaN/SiC、Sapphire基板界面の歪解析

EBSD(電子線後方散乱回折:Electron Back Scattered Diffraction Pattern)法を用いた、受託分析の一例です。青色LEDのGaNとSiC、Sapphire基板界面に発生する歪の可視化を試してみました。...

EBSD法の紹介

EBSD(電子線後方散乱回折:Electron Back Scattered Diffraction Pattern)法についての説明です。...

EBSD法による解析例の紹介

EBSD(電子線後方散乱回折:Electron Back Scattered Diffraction Pattern)法は、電子線照射により得られた反射電子回折パターンから、材料組織状態を調べる受託分析です。 ...

角型Liイオン電池の構造解析

市販角型Liイオン電池を機械研磨し、光学顕微鏡および極低加速FE-SEMにて 観察する受託分析サービスです。詳細構造の解析、元素分析が可能です。...

ULTRA55によるワイヤボンディング部観察

Alワイヤボンド部結晶粒SEM観察の受託分析例をご紹介します。...