半導体

電力変換素子として広く活用されているパワーデバイスのEOSによる故障箇所をOBIRCH解析で特定した後、FIB-SEMのSlice＆View機能を用いて故障箇所の三次元像を再構築する事により、破壊された構造の全貌を観察し...

小型のディスクリート半導体（ダイオード）を対象とした IOL試験（Intermittent Operational Life Test）やパワーサイクル試験（空冷）が求められています。これらの試験に対応いたします。 試験...

半導体の構造観察や不良解析における断面作製方法には、CPやFIB、機械研磨が挙げられますが それぞれ一長一短あり、どの方法で作製するのか検討が必要です。近年ではCPやFIBが一般的になってきており技術を要する機械研磨は減...

パワーデバイスの酸化膜及び接合部評価の高温逆バイアス試験(HTRB)が最大2000Vまで印加可能です。リーク電流のモニタリングを行い､デバイスの劣化状況の推移が確認できます｡ 特徴 ・ 最大2000Vを印加してパワーデバ...

パワーデバイスやIC、太陽電池や受発光素子といった半導体デバイスやMLCCなどの電子部品からソフトマテリアルといった多岐にわたる硬軟材料の断面観察・分析を高スループットで実現。 FIB-SEM複合装置概要 ・垂直方向にS...

YXLON製　マルチフォーカス　Cheetah EVO導入！ 電子部品、樹脂部品、ゴム部品、金属部品など、様々な用途に活用できます。 装置外観と主なスペック X線観察は非破壊検査の１手法であり、解析・分析を行う上ではじめ...

ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2014(最新版 JS-002-2018)において、試験時のデバイス付近の相対湿度は 30％未満にすることを要求されています。 AEC規格においても2019年の改訂で ANS...

半導体製品およびそれを含む電子部品の信頼性として重要なHuman Body ModelとMachine ModelのESDによる 破壊に対する耐性を評価するESD(HBM・MM)試験サービスを提供いたします。 特徴 ・5...

半導体製品およびそれを含む電子部品の信頼性として重要なデバイス帯電モデル(Charged Device Model)の ESDによる破壊に対する耐性を評価するESD/CDM試験サービスを提供いたします。 特徴 ・各種規格...

エレクトロニクス製品の歩留に大きな影響を与える異物は、いち早く分析することが要求されます。 アイテスは各種の試料加工技術を駆使して迅速な分析結果をご報告します。...

射出成形法によるプラスチック成形品は樹脂の溶融、金型への充填、冷却・保圧といった工程を経ていますが、これらの条件が適切でない場合、内部に応力が残り（残留応力）、成形不良の原因となります。 二次元複屈折測定システムは、その応力の指標である複屈折位相差(歪)や流れ方向・応力方向(主軸方位)の視覚化が可能です。例として、ポリスチレン（PS）成形品を加熱条件で比較した複屈折評価をご紹介します。...

共重合樹脂には多くの種類がありますが、中でもABSはその特異な分子構造により多くの製品に使用されています。エンジニアリングプラスチックとして、電子製品、自動車、電化製品、IT関連製品などその汎用性は大きい。本資料では、FT-IR分析にてその特徴的なIRスペクトルを考察しました。...

ポリエチレン樹脂は、汎用性プラスチックで身近に存在し多くの用途で使用されています。柔らかいタイプや硬いタイプなど用途に応じて反応プロセス（合成/重合）が違います。合成/重合の違いで低密度ポリエチレン（LDPE）高密度ポリエチレン（HDPE）に分かれますが、FT-IRにてその微妙なスペクトルの差を解析した。...

製品を構成する材料は様々ですが、製造成形プロセスにおいて内部応力が大きく、または偏って存在すると、使用中、使用環境により変形、割れ（クラック）、特性低下などの不具合を招きます。WPA（広範囲偏光分析） により、素材の配向...

可動部や折り曲げ機構がある製品に使用されるフレキシブル基板について、屈曲部と固定部でCu配線に違いがあるかEBSDによる確認を行った。...

ショートやリークに伴う微弱な発熱を高感度InSbカメラで検出する事で半導体等の電子部品の故障部を非破壊で特定する事ができます。更にX線検査装置を用いる事で非破壊での観察も可能です。 発熱解析原理, 装置概要 発熱解析は、...

ダイヤモンドの品質は4C(カット、カラー、カラット、クラリティ)で決まります。クラリティとは、インクルージョン(内包物)やキズの程度を表すそうです。気になるクラリティをマイクロスコープで覗いてみました。...

MEMS部品の構造を非破壊・破壊的手法を組み合わせ、総合的に解析します。...

鉄板(Fe)について、EBSDによる解析例を紹介致します。...

高融点はんだ(Snを少量含むPb基はんだ)について、EBSDによる解析例を紹介致します。...

クラック、変色、剥離、変形、物性強度低下など、製品、部材などに発生する不具合は様々です。その多くは、製品を構成する材料に原因がある場合が多く、その材料を分析調査することで解決することがあります。何が起きているのかを化学、および反応機構でアプローチする方法をご紹介します。...

パイプ(γ鉄(オーステナイト))について、EBSDによる解析例を紹介致します。...

積層基板で形成されるビア(Cu)について、EBSDによる解析例を紹介致します。...

半導体や絶縁物の中で、比較的バンドギャップが広い物質や薄膜のバンドギャップを、XPSを使用して簡易的に測定することが可能です。...

正規品又は標準品と調査対象品を比較し、構造などの差異やサイレントチェンジされていないか等を調査します。(外観観察/開封観察/電気的特性測定/破壊・非破壊観察/信頼性試験/材料調査など。)...

フォトレジスト材、ダイシングテープ等に用いられる光硬化性樹脂には、光を吸収して活性種を生成する光重合開始剤が添加されています。GCMSを用いてUV硬化樹脂中の光重合開始剤を分析しました。...

ネジ(Cu2Zn)について、EBSDによる解析例を紹介致します。...

セラミック(Al2O3)について、EBSDによる解析例を紹介致します。...

長期の使用により破損したカニカンの破断部について、観察、元素分析、EBSDによる解析を行いましたので紹介致します。...

ICパッケージのリード端子に発生したウィスカについて、機械研磨にて断面を作製し、SEM観察及びEBSD解析した事例を紹介します。...

Chip表面の配線(Al)について、EBSDによる解析例を紹介いたします。...

様々な表面分析手法を用いて、異物、変色、汚染などのお困りごとの解決に向けてお役立て致します。...

アイテスでは様々な化学分析サービスを承っております。化学分析の手法や進め方をご紹介します。...

製品を構成する素材は多種多様ですが、製品性能は素材の特性が鍵を握ることも少なくありません。アイテスでは、素材の信頼性試験から観察、物理/化学分析まで一貫対応いたします。本資料では、プラスチック材料の紫外線/恒温恒湿負荷前後の分子構造、および熱特性変化の比較評価を行った事例をご紹介します。...

プラスチックの押出/射出成形加工は、その原料の耐熱温度（融点　Tm）に応じて条件設定されるが原料の劣化変質により、決められた設定温度で成形加工が困難となるケースもある。プラスチック原料のペレットや粉末のメルトフローレイト（MFR）を確認することで、従来品と変化がないかを把握することができます。...

EPMAには7つの分光結晶があり、目的とする元素の波長に合わせて分光器を選択することで、エネルギー分解能や検出感度が良く、微量成分の定量分析やマップ分析等で優れた結果を得ることが出来ます。...

一般的なプリント基板（PCB基板）のAuめっき表面を分析した際、下層のNiが露出していないにも関わらず検出される場合がある。これは電子線の散乱深さに関連性があり、正しい分析結果を得るには適切な加速条件を設定する必要がある。今回、モンテカルロシミュレーションを用いて加速電圧の違いによるEDX検出深さについて確認を行った。...

マイクロ波インピーダンス顕微鏡(sMIM)は、ドーパント濃度に線形な相関を持つ信号が特徴です。SuperJunction型MOSFETの拡散層断面解析事例を紹介します。...

受託試験　ラッチアップ試験のご紹介です。 CMOS　ICおよびそれを含む半導体製品の信頼性として重要な、ラッチアップ破壊に対する耐性を評価します。...

ICの不良モードに適した様々な手法を組み合わせることで、不良ノードの特定から物理解析まで一貫して対応致します。...

パワーデバイスをあらゆる角度から徹底評価、検証します...

MOSFET･IGBT等のパワーデバイスに対して高温･高湿度環境下で最大1000Vの印加が可能です｡漏れ電流をモニタリングを行い､デバイスの劣化状況の推移が確認できます｡ 特徴 ・最大1000Vを印加してパワーデバイスの...

SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは物理特性が異なるため、故障箇所特定も新たな手法が必要となります。 詳しくはこちら（外部サイト） 　　お問い合わ...

ナノプローバと高感度アンプを用いたEBAC法により配線のオープン不良、高抵抗不良箇所を特定します。 EBAC法（Electron Beam Absorbed Current)の原理 ・LSI等の金属配線に電子線が入射する...

熱機械測定（TMA）は、試料に一定の荷重をかけた状態で試料温度を変化させ、試料の寸法変化を測定する手法です。 材料の熱膨張、熱収縮、ガラス転移温度、などの情報が得られます。 ...

ICの不良モードに適した様々な手法を組み合わせることで、不良ノードの特定から物理解析まで一貫して対応致します。...

EELS分析とEDS分析はTEM試料に加速した電子を照射することで元素同定を行う分析手法です。EELS分析とEDS分析の違い、分析事例をご紹介します。 ...

FIBを用いた特定箇所の断面作製、LV-SEM / EBICによる拡散層の形状観察、さらにTEMによる配線構造、結晶構造の受託解析を行います。...

受託試験　高温逆バイアス試験/高温高湿バイアス試験のご紹介です。 高温逆バイアス試験では、高温および高電圧(～800V)の逆バイアス印加を行い絶縁劣化・破壊の評価を実施します。高温高湿バイアス試験では、高温高湿状態での実装材料等の高温および吸湿による絶縁の劣化による耐久性評価を実施します。...

受託試験　恒温恒湿試験での材料評価のご紹介です。 製品の構成材料、または開発材料の耐湿評価が可能となります。 さらにその結果から、製品開発および材料開発において、その素材構成または分子設計を検討するための貴重な情報を得ることができます。...