XPSによるバンドギャップの簡易測定

半導体や絶縁物の中で、比較的バンドギャップが広い物質や薄膜のバンドギャップを、XPSを使用して簡易的に測定することが可能です。...

真贋調査(比較観察)

正規品又は標準品と調査対象品を比較し、構造などの差異やサイレントチェンジされていないか等を調査します。(外観観察/開封観察/電気的特性測定/破壊・非破壊観察/信頼性試験/材料調査など。)...

光硬化樹脂中 重合開始剤の分析

フォトレジスト材、ダイシングテープ等に用いられる光硬化性樹脂には、光を吸収して活性種を生成する光重合開始剤が添加されています。GCMSを用いてUV硬化樹脂中の光重合開始剤を分析しました。...

EBSDによる解析例(ネジ)

ネジ(Cu2Zn)について、EBSDによる解析例を紹介致します。...

EBSDによる解析例(セラミック)

セラミック(Al2O3)について、EBSDによる解析例を紹介致します。...

EBSDによる解析例(カニカン)

長期の使用により破損したカニカンの破断部について、観察、元素分析、EBSDによる解析を行いましたので紹介致します。...

EBSDによる解析例(ウィスカ)

ICパッケージのリード端子に発生したウィスカについて、機械研磨にて断面を作製し、SEM観察及びEBSD解析した事例を紹介します。...

EBSDによる解析例(Chip)

Chip表面の配線(Al)について、EBSDによる解析例を紹介いたします。...

表面分析ガイド

様々な表面分析手法を用いて、異物、変色、汚染などのお困りごとの解決に向けてお役立て致します。...

化学分析の流れ

アイテスでは様々な化学分析サービスを承っております。化学分析の手法や進め方をご紹介します。...

材料の信頼性試験から化学分析までご対応します。

製品を構成する素材は多種多様ですが、製品性能は素材の特性が鍵を握ることも少なくありません。アイテスでは、素材の信頼性試験から観察、物理/化学分析まで一貫対応いたします。本資料では、プラスチック材料の紫外線/恒温恒湿負荷前後の分子構造、および熱特性変化の比較評価を行った事例をご紹介します。...

メルトフローレイト(MFR)測定評価サービス

プラスチックの押出/射出成形加工は、その原料の耐熱温度(融点 Tm)に応じて条件設定されるが原料の劣化変質により、決められた設定温度で成形加工が困難となるケースもある。プラスチック原料のペレットや粉末のメルトフローレイト(MFR)を確認することで、従来品と変化がないかを把握することができます。...

EPMA分析における7つの分光結晶

EPMAには7つの分光結晶があり、目的とする元素の波長に合わせて分光器を選択することで、エネルギー分解能や検出感度が良く、微量成分の定量分析やマップ分析等で優れた結果を得ることが出来ます。...

SEM/EDX分析時の加速電圧の違いによる検出感度

一般的なプリント基板(PCB基板)のAuめっき表面を分析した際、下層のNiが露出していないにも関わらず検出される場合がある。これは電子線の散乱深さに関連性があり、正しい分析結果を得るには適切な加速条件を設定する必要がある。今回、モンテカルロシミュレーションを用いて加速電圧の違いによるEDX検出深さについて確認を行った。...

sMIMによる半導体拡散層の解析

マイクロ波インピーダンス顕微鏡(sMIM)は、ドーパント濃度に線形な相関を持つ信号が特徴です。SuperJunction型MOSFETの拡散層断面解析事例を紹介します。...

sMIMによる半導体拡散層の解析

マイクロ波インピーダンス顕微鏡(sMIM)は、ドーパント濃度に線形な相関を持つ信号が特徴です。SuperJunction型MOSFETの拡散層断面解析事例を紹介します。...

sMIMによる半導体拡散層の解析

マイクロ波インピーダンス顕微鏡(sMIM)は、ドーパント濃度に線形な相関を持つ信号が特徴です。SuperJunction型MOSFETの拡散層断面解析事例を紹介します。...

sMIMによる半導体拡散層の解析

マイクロ波インピーダンス顕微鏡(sMIM)は、ドーパント濃度に線形な相関を持つ信号が特徴です。SuperJunction型MOSFETの拡散層断面解析事例を紹介します。...

高温ラッチアップ試験

受託試験 ラッチアップ試験のご紹介です。 CMOS ICおよびそれを含む半導体製品の信頼性として重要な、ラッチアップ破壊に対する耐性を評価します。...

パワー半導体の解析サービス

ICの不良モードに適した様々な手法を組み合わせることで、不良ノードの特定から物理解析まで一貫して対応致します。...

パワーデバイスのトータルソリューションサービス

パワーデバイスをあらゆる角度から徹底評価、検証します...

パワーデバイスのHAST試験

MOSFET・IGBT等のパワーデバイスに対して高温・高湿度環境下で最大1000Vの印加が可能です。漏れ電流をモニタリングを行い、デバイスの劣化状況の推移が確認出来ます。 特徴 ・最大1000Vを印加...

短波長レーザーによるOBIRCH解析サービス

SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは物理特性が異なるため、故障箇所特定も新たな手法が必要となります。 詳しくはこちら(外部サイ...

EBAC(吸収電流)法による不良箇所の絞込み

ナノプローバと高感度アンプを用いたEBAC法により配線のオープン不良、高抵抗不良箇所を特定します。 EBAC法(Electron Beam Absorbed Current)の原理 ・LSI等の金属配...

EBAC(吸収電流)法による不良箇所の絞込み

ナノプローバと高感度アンプを用いたEBAC法により配線のオープン不良、高抵抗不良箇所を特定します。 EBAC法(Electron Beam Absorbed Current)の原理 ・LSI等の金属配...

EBAC(吸収電流)法による不良箇所の絞込み

ナノプローバと高感度アンプを用いたEBAC法により配線のオープン不良、高抵抗不良箇所を特定します。 EBAC法(Electron Beam Absorbed Current)の原理 ・LSI等の金属配...

EBAC(吸収電流)法による不良箇所の絞込み

ナノプローバと高感度アンプを用いたEBAC法により配線のオープン不良、高抵抗不良箇所を特定します。 EBAC法(Electron Beam Absorbed Current)の原理 ・LSI等の金属配...

TMA(熱機械測定)のご紹介(半導体封止材)

熱機械測定(TMA)は、試料に一定の荷重をかけた状態で試料温度を変化させ、試料の寸法変化を測定する手法です。 材料の熱膨張、熱収縮、ガラス転移温度、などの情報が得られます。 ...

FIB-SEMによる半導体の拡散層観察

FIB法による断面作製とSEM観察によって半導体の拡散層を可視化、形状評価を行います。 SEMのInlens 検出器によって内蔵電位の違いを可視化 内蔵電位によってN型とP型領域で発生する二次電子のエ...

ICの不良解析

ICの不良モードに適した様々な手法を組み合わせることで、不良ノードの特定から物理解析まで一貫して対応致します。...

EELS分析手法による膜質評価

EELS分析とEDS分析は、TEM試料に加速した電子を照射することで元素同定を行う分析手法です。 EELS分析とEDS分析の違いをご紹介します。...

FIB断面でのLV-SEMとEBIC法による拡散層の観察

FIBを用いた特定箇所の断面作製、LV-SEM / EBICによる拡散層の形状観察、さらにTEMによる配線構造、結晶構造の受託解析を行います。...

高温逆バイアス試験 / 高温高湿バイアス試験( パワーデバイス/実装品の信頼性評価 )

受託試験 高温逆バイアス試験/高温高湿バイアス試験のご紹介です。 高温逆バイアス試験では、高温および高電圧(~800V)の逆バイアス印加を行い絶縁劣化・破壊の評価を実施します。高温高湿バイアス試験では、高温高湿状態での実装材料等の高温および吸湿による絶縁の劣化による耐久性評価を実施します。...

恒温恒湿下での材料評価試験

受託試験 恒温恒湿試験での材料評価のご紹介です。 製品の構成材料、または開発材料の耐湿評価が可能となります。 さらにその結果から、製品開発および材料開発において、その素材構成または分子設計を検討するための貴重な情報を得ることができます。...

GaN HEMT不良部の結晶欠陥解析

GaN HEMT(化合物半導体)にて、電気的な不良箇所を特定後、断面TEMによる結晶解析を行い、リークの原因となる転位の種類を同定し結晶成長の不良を可視化する受託分析です。...

クロスビームFIBによる断面SEM観察

微細FIB断面加工と高精細なSEM観察の受託サービスです。...

TEMによる電子部品・材料の解析

TEM(透過型電子顕微鏡)観察は、電子部品の故障部位観察、長さ測定、元素分析、結晶構造の解析等や材料評価の幅広い要求にお応えする受託分析です。...

パワーデバイスの故障解析

ダイオード・MOS FET・IGBTといったパワーデバイスの不良箇所を特定し観察する受託分析サービスです。 ...

In-Situ常時測定サービス

受託試験 In-Situ常時測定 信頼性評価のご紹介です。 特性を測定しながら、ストレスを印加し信頼性評価試験を行います。 常時特性を測定しますので、故障発生を見落とすことがありません。...

海外製部品・製品 品質評価サービス

受託試験・受託分析 海外製部品・製品 品質評価サービスのご紹介です。 海外製部品・製品に対しての信頼性試験・評価試験のトータルの品質評価サービスを提供します。 海外製部品・製品の中には品質上問題のあるものも多く含まれています。 中には、初期動作は問題ない場合でも、短期間に不具合を引き起こし、故障、破壊に至るものもあります。お客様の製品に海外製の部品を使用される前に、一度アイテスの部品・製品 品質評価サービスをご検討ください。 ...

発光解析のための半導体の裏面研磨

裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析の前処理として各種形態のサンプルの裏面研磨を行います。...

FIB加工からSEM観察

超低加速電圧で超高分解能の観察が可能な走査型電子顕微鏡(SEM)に集束イオンビーム装置(FIB)を搭載した「リアルタイムイオン電子顕微鏡(CrossBeam FIB、XB-FIB)」により、ナノスケールの試料加工を受託致します。...

非破壊検査・超音波顕微鏡観察の動画

受託試験 非破壊検査・超音波顕微鏡観察を動画でご紹介しています。 超音波を利用した超音波顕微鏡での観察により、半導体パッケージ、電子部品及び材料などの内部の構造や界面剥離、ボイド、クラックを観察することが出来ます。非破壊での観察を行う場合には有効な試験です。...

半導体パッケージ剥離部の非破壊観察( 超音波顕微鏡 )

受託試験 半導体パッケージ剥離部の非破壊観察( 超音波顕微鏡 )のご紹介です。 半導体プラスチックパッケージは保管、実装の条件等によりリードフレームと樹脂間の剥離を起こすことがあり、非破壊での観察が要求されます。超音波顕微鏡観察が有効です。...

パワーサイクル試験

受託試験 パワーサイクル試験(継続通電試験)のご紹介です。 パワーモジュールに関する主要な評価項目として、適用されています。 パワー素子に規定の電力を消費させ、決められた時間内で断続通電を行い、試料の信頼性を評価します。同時に熱抵抗測定も可能です。...

裏面IR-OBIRCH解析

ICチップの電流リーク、ショートや高抵抗などの不良箇所を、チップの裏面からサブミクロンの位置精度で特定する受託分析です。...

アレニウスモデルによる電子部品の寿命予測

受託試験 アレニウスモデルによる電子部品の寿命予測のご紹介です。 一般的に半導体デバイスの劣化の物理、化学的な現象を表すには,アレニウスモデルが用いられます。アレニウスモデルは故障の温度依存に対する基本的な化学反応モデルであり,半導体デバイスの温度ストレスによる加速寿命試験の寿命推定に用いられています。...

TEMによる結晶材料の解析

TEM(透過型電子顕微鏡)は高分解能での結晶粒観察、電子線回折による結晶構造の解析など、結晶材料解析に最適な手法です。...

イオンマイグレーション試験

受託試験 イオンマイグレーション試験のご紹介です。 製品の軽小短への推移によって事前評価としてますます重要な試験となってきています。評価の概略及び試験実施の内容及び使用している常時測定(In-Situ)装置の有用性について紹介します。...

SiCデバイスの裏面発光解析

SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイスであり注目を集めていますが、 Si半導体とは物理特性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。...